芯片与功率器件封装
适用于封装胶、底部填充胶、芯片载板、功率模块灌封材料等,降低热循环应力与结构变形。
晶一奥思面向芯片封装、功率器件、LED封装、PCB基板和导热界面材料,提供电子封装热膨胀控制、CTE匹配和尺寸稳定材料方案。
电子封装抗热胀方案面向芯片封装、功率器件、传感器、LED封装、PCB基板、底部填充胶、封装胶、导热界面材料及高可靠电子组件等应用场景。通过在树脂、胶黏剂、陶瓷复合材料或封装复合体系中引入低膨胀、负热膨胀或热膨胀调控功能材料,降低材料在冷热循环中的尺寸变化和热应力积累。该方案可改善因热胀冷缩不匹配导致的翘曲、开裂、脱层、焊点疲劳和界面失效等问题,提升电子封装结构的尺寸稳定性、热循环可靠性和长期服役寿命,适用于高功率、高密度、小型化电子器件封装需求。
适用于封装胶、底部填充胶、芯片载板、功率模块灌封材料等,降低热循环应力与结构变形。
可用于PCB基板、导热垫片、导热胶、绝缘封装层等,提升尺寸稳定性和界面可靠性。
芯片、基板、封装胶和界面材料在热循环中的尺寸响应不同,局部区域容易形成应力集中。
通过复配低膨胀或负热膨胀功能材料,调控封装体系整体热膨胀系数,降低材料间热膨胀失配带来的应力集中。长期升温和降温会让封装结构持续承受热机械载荷,影响器件装配精度与服役可靠性。
在封装胶、基板或复合材料中构建热膨胀调控体系,使材料在升温和降温过程中保持更稳定的尺寸响应,提升热循环可靠性。点击表格中的型号,可进入对应材料详情页面。
| 材料 | 型号 | 颜色 | 形貌 |
|---|---|---|---|
| G-T110-1 | G-T110-1 | 浅色 | 粉体 |
| G-T120-1 | G-T120-1 | 浅色 | 粉体 |
| G-T130-1 | G-T130-1 | 浅色 | 粉体 |
| G-T140-1 | G-T140-1 | 浅色 | 粉体 |
| G-T150-1 | G-T150-1 | 浅色 | 粉体 |
G-T130-1G-T130-1 铋镍铁氧化物(负热膨胀)。铋镍铁氧化物是一种含有铋、镍和铁的复合氧化物,通常以黑色或深棕色晶体形式存在,具有独特的电磁性能和热膨胀调控应用潜力。
G-T140-1G-T140-1 铜锌钒复合钒酸盐(负热膨胀)。铜锌钒复合钒酸盐由铜、锌、钒等过渡金属氧化物构成,化学稳定、经济环保,并可在宽温度范围内提供线性负热膨胀能力。
G-T150-1G-T150-1 磷酸锆硫酸盐(负热膨胀)。磷酸锆硫酸盐是一类白色至浅绿色粉末型负热膨胀材料,可用于低膨胀材料体系构建,帮助复合材料实现热尺寸稳定和内部热应力控制。
G-T110-1G-T110-1 磷钨酸锆(负热膨胀)。磷钨酸锆(ZWP)在负热膨胀范围内具有良好的化学、热、机械稳定性和高温稳定性,可用于高精度器件材料的热膨胀抑制。
G-T120-1G-T120-1 钨酸锆(负热膨胀)。钨酸锆负热膨胀材料可通过框架机制与相变机制实现热收缩表现,适用于热循环环境下的热匹配与尺寸稳定控制。
精密器件尺寸稳定方案晶一奥思面向光学器件、传感器、连接器和微型结构件,提供低膨胀材料与热循环尺寸控制方案,帮助改善尺寸漂移和装配稳定性。